У серпні 2026 року Національний університет Ян Мін Чиао Тун (NYCU) повідомив про створення стабільного захисного шару товщиною 0,42 нанометра для надтонких двовимірних напівпровідників, що зменшує витік електронів. Це важливо, бо рішення дозволяє зберігати потік заряду при використанні надтонких ізоляційних шарів і може вплинути на розмір і ефективність мікрочипів.
У звіті описано підхід, який автори назвали інженерією атомної межі розділу для двовимірних напівпровідників. Ця технологія дає спосіб подолати фізичні обмеження традиційного кремнію при роботі з надтонкими матеріалами.
Механізм полягає в тому, що вченим вдалося стабілізувати захисний шар на атомному рівні з товщиною 0,42 нм. Такий шар запобігає витоку електронів і захищає потік заряду при застосуванні надтонких ізоляційних шарів.
Розроблені на основі цього підходу транзистори продемонстрували високий рівень електричного контролю та продуктивності. За словами авторів, результати відкривають шлях до створення мікрочипів наступного покоління, значно менших за сучасні кремнієві аналоги.
Новий підхід NYCU продовжує розвиток надтонких матеріалів для електроніки — цікава стаття з архіву про те, як створили металеве скло завтовшки лише кілька нанометрів.