Токійський технологічний інститут (Tokyo Tech) разом із Національним інститутом передових промислових наук і технологій Японії (AIST) створили вертикальний силовий транзистор на базі оксиду галію для застосувань в електромобілях; це важливо через його високі електричні та термічні характеристики і значне зниження енергетичних втрат у силовій електроніці.
Пристрій виконано на монокристалічному β-оксиді галію (β-Ga2O3), широкозонному напівпровіднику зі значенням ширини забороненої зони 4,8 еВ. Конструкція — вертикальний силовий транзистор, що відповідає вимогам для високовольтних застосувань.
Технічні параметри, вказані розробниками: критична напруга пробою понад 4 500 В, питомий опір відкритого каналу 4,8 мОм·см², а робочі параметри залишаються стабільними при нагріванні до +250°C.
За наданими даними, використання цього транзистора дозволяє скоротити втрати електроенергії в тягових інверторах електротранспорту та у високовольтних перетворювачах сонячних станцій на 60% порівняно з існуючими рішеннями на основі карбіду кремнію (SiC).
Розробка виконана в рамках спільної роботи Tokyo Tech і AIST і орієнтована на застосування в силовій електроніці для електромобілів і високовольтних сонячних конверторів.