Фізики Університету Центральної Флориди та їхні колеги отримали експериментальні свідчення альтермагнетизму в шаруватій сполуці Co₁/₄TaSe₂. Університет розповів про результати 18 вересня 2026 року. Дослідження опубліковане в Nature Communications.
Магнітні властивості без зайвого поля
У звичайному феромагнетику магнітні моменти спрямовані узгоджено, створюючи поле. В антиферомагнетику протилежні моменти компенсуються. Альтермагнетики поєднують таку компенсацію з особливими спіновими властивостями електронних станів, цікавими для спінтроніки.
Команда Мадгаба Неупане дослідила електронну структуру матеріалу методом фотоемісійної спектроскопії з кутовим розділенням. Спочатку науковці побачили розщеплення електронних зон, а потім спін-чутливі вимірювання показали протилежні спінові поляризації цих станів.
Навіщо потрібні тонкі шари
Сполука складається зі слабко зв’язаних шарів, які можна розділяти та комбінувати в тонкі структури. Це робить її зручною платформою для подальших експериментів і потенційних електронних компонентів.
У перспективі такі матеріали можуть допомогти створювати швидку пам’ять та енергоощадну електроніку з меншим впливом паразитних магнітних полів. Проте дослідження підтверджує фізичні властивості матеріалу, а не демонструє готовий процесор чи промислову технологію пам’яті.
Раніше ми розглядали інший кандидат у цій галузі — ознаки можливого альтермагнетизму в деформованій плівці RuO₂.
