Дослідники Кіотського університету повідомили про важливий крок у масштабуванні електроніки для екстремальних температур. За повідомленням університету, транзистори на карбіді кремнію вдалося виготовити на шестидюймовій пластині у виробничих умовах підприємства Phenitec Semiconductor.
Від лабораторного зразка до пластини
Попередня робота команди показала працездатність JFET-транзисторів за температури до 600 °C. Тепер дослідники перенесли технологію на значно більший носій, де розміщуються численні елементи. Для центру пластини стандартне відхилення порогової напруги становило менш як 0,07 В — ознака доброї однорідності виготовлених пристроїв на цій ділянці.
Карбід кремнію здатний працювати там, де звичайна кремнієва електроніка швидко втрачає надійність. Потенційні сценарії — датчики для двигунів, геотермальних установок або космічних апаратів. Водночас результати щодо пластини не означають, що готові багатокомпонентні схеми вже пройшли всі випробування й готові до серійного застосування.
Чому масштабування складне
Промисловій електроніці потрібні не тільки окремі рекордні елементи, а й повторювані параметри на великій площі. Саме тому дані про розкид порогової напруги важливі для наступного етапу — проєктування інтегрованих схем і перевірки їхньої довговічності.
Раніше ми розповідали про інше вдосконалення мікровиробництва: світлочутливий полімер ETH Zurich для надмалих OLED-пікселів.
