Дослідницька група Гонконзького університету повідомила в серпні 2026 року про виявлення п’єзоелектричного ефекту в ультратонких гнучких алмазних мембранах, що має значення для застосувань у сенсорах і мікросистемах.
Згідно з результатами, опублікованими в серпні 2026 року, дослідження спростовує столітнє уявлення про те, що алмаз є виключно неп’єзоелектричним через симетричну кристалічну ґратку.
Автори створили ультратонкі монокристалічні мембрани з алмазу, які можуть зазнавати сильного пружного вигину без руйнування. У роботі поєднали експерименти з першопринципними квантово‑механічними розрахунками.
Розрахунки й експерименти показали, що механічна деформація границь зерен і напруження шарів призводять до стійкої різниці електричних потенціалів між поверхнями мембрани.
За словами авторів, це відкриття дозволяє розглядати надміцний і біосумісний алмаз як активний п’єзоелектричний елемент для автономних біомедичних датчиків, мікрогенераторів енергії та надійних мікроелектромеханічних систем (MEMS).
Відкриття HKU також розширює можливості для надтонких електронних систем, де важливі механічна гнучкість і стабільність матеріалу; цікавою статтею з архіву про інший напрям розвитку двовимірних технологій є захисний шар для надтонких двовимірних напівпровідників.