Інші новини

HKU виявив п’єзоелектричний ефект у надтонких гнучких алмазних мембранах

Дослідницька група Гонконзького університету повідомила 21 травня 2026 року про виявлення п’єзоелектричного ефекту в ультратонких гнучких алмазних мембранах, що має значення для застосувань у сенсорах і мікросистемах.

Роботу опубліковано в Science Advances 18 березня 2026 року. Вона показує п’єзоелектричну відповідь полікристалічних мембран, яку не слід ототожнювати з властивостями ідеальної симетричної ґратки алмазу.

Автори створили ультратонкі полікристалічні мембрани з алмазу, які можуть зазнавати сильного пружного вигину без руйнування. У роботі поєднали експерименти з першопринципними квантово‑механічними розрахунками.

Розрахунки й експерименти показали, що асиметрія границь зерен під час деформації сприяє поляризації зарядів і призводить до стійкої різниці електричних потенціалів між поверхнями мембрани.

За словами авторів, це відкриття дозволяє розглядати надміцний і біосумісний алмаз як активний п’єзоелектричний елемент для автономних біомедичних датчиків, мікрогенераторів енергії та надійних мікроелектромеханічних систем (MEMS).

Відкриття HKU також розширює можливості для надтонких електронних систем, де важливі механічна гнучкість і стабільність матеріалу; цікавою статтею з архіву про інший напрям розвитку двовимірних технологій є захисний шар для надтонких двовимірних напівпровідників.

Ці застосування залишаються перспективними, а не готовими медичними пристроями. Джерело: повідомлення HKU; наукова стаття.

Залишити коментар

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *